新聞資訊
CEPEA:中國電子專用設備工業協會行業簡訊
為貫徹落實黨的二十大和中央經濟工作會議的精神,更好發揮電子信息制造業在工業行業中的支撐、引領、賦能作用,助力實現工業經濟發展主要預期目標,工業和信息化部、財政部近日聯合印發《電子信息制造業 2023-2024 年穩增長行動方案》。
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2023
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減少在4H-SiC鍵合襯底上制造的PiN二極管的正向偏壓退化
本期話題: 減少在4H-SiC鍵合襯底上制造的PiN二極管的正向偏壓退化 ◎介紹 - 什么是4H-SiC鍵合襯底? - 4H-SiC 雙極器件中的正向偏壓退化 ◎實驗性 - 本研究中使用的 PiN 二極管 - 實驗過程
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韓國功率半導體商用化中心及重點企業
近日,韓國STI宣布將在釜山市建設一個年產3萬片SiC晶圓的新工廠,以支持韓國車規SiC的本土供應。據介紹,STI將投資3000億韓元(約16.4億人民幣),在釜山功率半導體細分專業園區建立SiC材料生產工廠。該項目的一期工程占地超16000平方米,預計明年下半年建成。STI是一家研發半導體石英玻璃電爐、SiC半導體生長爐等設備的公司。目前STI自主研發了SiC PVT生長爐,成功的開發出純度為99.9998%的5N級錠粉,實現了韓國關鍵半導體材料SiC錠粉的本地化。
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深紫外透明導電Si摻雜氧化鎵異質外延薄膜
近年來,氧化鎵(Ga2O3)半導體受到世界各國科研和產業界的普遍關注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶,高于第三代半導體碳化硅(SiC)的3.2 eV和氮化鎵(GaN)的3.39 eV。更寬的禁帶寬度意味著電子從價帶躍遷到導帶需要更多的能量,因此氧化鎵具有耐高壓(極強的臨界場強)、效率(更低導通電阻)、大功率、抗輻照等特性。基于氧化鎵的功率電子器件在新能源汽車、軌道交通等領域具有潛在應用,且氧化鎵的光電探測器在導彈預警、高壓電網電暈檢測等領域展現出重要的潛力,如下圖1。 圖1. 超寬禁帶氧化鎵半導體在功率電子器件、日盲紫外光電探測和深紫外透明電極方面的應用。
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10億GaN基大功率藍光半導體激光器項目開工!
據長江日報報道,9月14日,2023年三季度武漢市億元以上重大項目集中開工活動舉行。三季度武漢市共173個重大項目集中開工,總投資1465.7億元。其中,江夏區分會場20個重大項目集中開工,總投資135.4億元,其中一個項目是武漢鑫威源大功率藍光半導體激光器產業化項目。
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